1657РУ2У
Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024К×16 или 2048К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для решения задач в условиях радиации.
Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.
Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).
Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/ Aeroflex), AT68166F (Atmel).
Если в режиме с включенной кодовой защитой (MOD[1:0]=00) наблюдаются ошибки на технологических выводах ER[1:0], это считается допустимым и не может говорить о несоответствии микросхем техническим условиям.
Документация
Сравнение с аналогами
Параметры | 1657РУ2У | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
Аналоги в России | Зарубежные аналоги | |||||
1645РУ6У Миландр | 1663РА06 Микрон | UT8ER512K32 Cobham | HXSR01632 Honeywell | AT68166HT20/25 ATMEL | ||
Технология | 130 нм | 65нм | 90 нм Микрон | 180 нм | 150 нм КНИ | 250 нм |
Стойкость к тиристорному эффекту | + | - | + | + | + | + |
Стойкость к эффекту прямой ионизации протонами | + | - | - | + | + | + |
Наличие кодовой защиты (схем обнаружения и исправления ошибок) | + | - | - | + | - | - |
Возможность исправления сбоев в каждом байте | + | - | - | - | - | - |
Возможность обращения к байтам слова | + | + | - | - | + | + |
Сечение насыщения по эффекту сбоев при ЛПЭ 60 МэВ∙см^2/мг, см^2/бит | 6,4∙10-10 | 1,8∙10-7 | 6,0∙10-8 | 3,0∙10-10 | Нет данных | Нет данных |
Стойкость по накопленной дозе (TID), крад | 300 | 100 | 500 | 100 | 1000 | 300 |
Повышенная рабочая температура | +125⁰С | +100⁰С | +125⁰С | +125⁰С | +125⁰С | +125⁰С |
Предельно-допустимая емкость нагрузки, пФ | 50 | 30 | 30 | 40 | 50 | 50 |
Гарантированное время выборки с учетом корр. ошибок | 25 | 10 (без корр. ошибок) | 10 (без корр. ошибок) | 20 | 20 (без корр. ошибок) | 20/25 (без корр. ошибок) |
Согласование с ТТЛ | + | - | + | - | - | + |